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湿法腐蚀工艺参数
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  • 沉积技术最近的一个重要趋势是现有工艺不断向更高的离子辅助方向扩展,从而对薄膜性能产生有益的影响。如今,包括激光烧蚀和沉积、真空电弧沉积、离子辅助沉积、高功率脉冲磁控溅射和等离子体浸没离子注入在内的多...
    沉积技术最近的一个重要趋势是现有工艺不断向更高的离子辅助方向扩展,从而...
    沉积技术最近的一个重要趋势是现有工艺不断向更高的离子辅助方向扩展,从而...

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  • 材料的表面性质会影响材料使用时的效率和性能。修改和调整这些表面特性以满足更好性能的特定需求是可行的,并且已经广泛应用于生活的不同方面。这可以通过薄膜沉积涂覆表面来实现。这项研究回顾了用于表面改性和涂...
    材料的表面性质会影响材料使用时的效率和性能。修改和调整这些表面特性以满...
    材料的表面性质会影响材料使用时的效率和性能。修改和调整这些表面特性以满...

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  • 在过去的几十年中,形成薄膜材料的方法显著增加。一般来说,薄膜是由物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(化学气相沉积)产生的小厚度。尽管PVD技术有一些缺点,但它仍然是一种重要的方法,比化学气相沉积技术...
    在过去的几十年中,形成薄膜材料的方法显著增加。一般来说,薄膜是由物理气相...
    在过去的几十年中,形成薄膜材料的方法显著增加。一般来说,薄膜是由物理气相...

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  • 本文讲述了低温直接等离子体增强化学气相沉积氧化物与热氧化物的结合。PECVD氧化物在350℃下致密化,并进行化学机械抛光,以获得相当光滑的粘合表面。在食人鱼清洗后,PECVD氧化物晶片在室温下结合到热...
    本文讲述了低温直接等离子体增强化学气相沉积氧化物与热氧化物的结合。PEC...
    本文讲述了低温直接等离子体增强化学气相沉积氧化物与热氧化物的结合。PEC...

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  • 三维集成电路技术已经发展成为半导体行业的新兴技术。硅片减薄是三维集成电路和硅通孔形成的关键技术之一。本文报道了三维集成电路硅片湿法刻蚀减薄技术。 通过应用摩尔定律,半导体已经小型化。然而...
    三维集成电路技术已经发展成为半导体行业的新兴技术。硅片减薄是三维集成电路...
    三维集成电路技术已经发展成为半导体行业的新兴技术。硅片减薄是三维集成电路...

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  • 在微系统技术中,通常由结构化或普通硅或其他晶片组成的复杂结构必须结合成一个机械稳定的结构。在许多情况下,晶片键合,也称为熔合键合,可以实现这一目标。本概述将介绍成功焊接表面必须满足的不同要求,尤其是...
    在微系统技术中,通常由结构化或普通硅或其他晶片组成的复杂结构必须结合成...
    在微系统技术中,通常由结构化或普通硅或其他晶片组成的复杂结构必须结合成...

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  • 晶圆到晶圆的三维集成有可能将硅厚度降至最低,这使我们能够通过显著缩小的硅通孔连接多个晶圆。为了实现这种类型的3D结构,背面减薄是关键步骤。就拥有成本(CoO)而言,传统的机械研磨被认为是去除...
    晶圆到晶圆的三维集成有可能将硅厚度降至最低,这使我们能够通过显...
    晶圆到晶圆的三维集成有可能将硅厚度降至最低,这使我们能够通过显...

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  • 薄硅在微机电、太阳能和微机械工业中提供了各种新的可能性,例如。对于3D集成(堆叠管芯)、薄微机电封装或薄单晶太阳能电池。该研究中的晶片通过研磨和随后的旋转蚀刻步骤减薄以消除应力,随后通过锯切或蚀刻分离...
    薄硅在微机电、太阳能和微机械工业中提供了各种新的可能性,例如。对于3D集...
    薄硅在微机电、太阳能和微机械工业中提供了各种新的可能性,例如。对于3D集...

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  • 摘要 等离子体蚀刻工艺的均匀性和晶片到晶片的再现性通常与等离子体蚀刻室壁的调节有关。对于先进的互补金属氧化物半导体制造,使用了许多金属,这些金属可能在蚀刻过程中沉积在室壁上,并且由于这些金属不总...
    摘要 等离子体蚀刻工艺的均匀性和晶片到晶片的再现性通常与等离子体蚀...
    摘要 等离子体蚀刻工艺的均匀性和晶片到晶片的再现性通常与等离子体蚀...

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湿法腐蚀工艺