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化学品
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  • 无论如何,应注意制造商建议的特定光致抗蚀剂的软烘烤时间和温度应始终是开发光刻工艺的起点,并且重要的是要记住过高的软烘烤温度通常高于115C会降低或甚至可以破坏线型酚醛清漆DNQ型光致抗蚀剂系统中的DNQ光敏化合物PAC
    无论如何,应注意制造商建议的特定光致抗蚀剂的软烘烤时间和温度应始终是开发...
    无论如何,应注意制造商建议的特定光致抗蚀剂的软烘烤时间和温度应始终是开发...

    阅读量:4

  • 这改变了膜的溶解度,以便通过将晶片暴露于光来图案化晶片
    这改变了膜的溶解度,以便通过将晶片暴露于光来图案化晶片
    这改变了膜的溶解度,以便通过将晶片暴露于光来图案化晶片

    阅读量:3

  • 乙酸,也称为乙醇酸或甲烷羧酸,在许多工业过程中用于制造基材
    乙酸,也称为乙醇酸或甲烷羧酸,在许多工业过程中用于制造基材
    乙酸,也称为乙醇酸或甲烷羧酸,在许多工业过程中用于制造基材

    阅读量:8

  • 另外,由于光阻剂包含感光化合物PAC,Photoactivecompound,其易残留在基板上无法清除而导致污染后续工艺,本发明的包含PGME和ANONE组成的配方的光阻清洗剂,在常温常压下,ANONE对PAC的溶解度最佳,实验发现,对包含4-6%PAC%,重量百分组成浓度的光阻剂,ANONE可将其...
    另外,由于光阻剂包含感光化合物PAC,Photoactivecompou...
    另外,由于光阻剂包含感光化合物PAC,Photoactivecompou...

    阅读量:6

  • 红外吸收谱测量的结果表明无论是常规的酸碱清洗还是DGQ系列清洗剂的清洗,在没有HF稀溶液浸泡的情况下,1108波数处的吸收都是不同价态硅氧化物的复合吸收,用HF稀溶液浸泡后清洗的硅片,复合吸收变成仅有二氧化硅的吸收
    红外吸收谱测量的结果表明无论是常规的酸碱清洗还是DGQ系列清洗剂的清洗,...
    红外吸收谱测量的结果表明无论是常规的酸碱清洗还是DGQ系列清洗剂的清洗,...

    阅读量:8

  • 还原剂过剩严重时,应估计炉内还原剂过剩的程度,然后采取集中附加硅石或在炉料中附加硅石的方法处理
    还原剂过剩严重时,应估计炉内还原剂过剩的程度,然后采取集中附加硅石或在炉...
    还原剂过剩严重时,应估计炉内还原剂过剩的程度,然后采取集中附加硅石或在炉...

    阅读量:7

  • 而使用的机台和硅制造工艺类似通常普遍使用的设备为活性离子反应器和感应祸合式电浆蚀刻机等蚀刻不同材料时所用的反应气体不同如硅制造工艺中要蚀刻硅或是二氧化硅时使用四氟化碳凡和氧气而砷化稼制造工艺中蚀刻砷化稼使用三氯化硼或六氟化硫凡等蚀刻光阻则使用氧气电浆其中孔洞一蚀刻及氮化稼材料蚀刻时需要较高的蚀刻速率...
    而使用的机台和硅制造工艺类似通常普遍使用的设备为活性离子反应器和感应祸合...
    而使用的机台和硅制造工艺类似通常普遍使用的设备为活性离子反应器和感应祸合...

    阅读量:0

  • 硫脲硝酸镉比对纳米硫化镉粒径的影响将7mmol硝酸镉溶于70mL乙二醇,加入0.4gPVP,保持镉离子浓度不变,通过改变硫脲的加入量来研究不同SCd物质的量比对纳米硫化镉粒径的影响
    硫脲硝酸镉比对纳米硫化镉粒径的影响将7mmol硝酸镉溶于70mL乙二醇,...
    硫脲硝酸镉比对纳米硫化镉粒径的影响将7mmol硝酸镉溶于70mL乙二醇,...

    阅读量:2

  • 原因催化过程主要和催化剂表面分子的吸附和脱附有关高的比表面积导致催化剂表面原子配位不全从而使表面活性位增加增强了其吸附能力
    原因催化过程主要和催化剂表面分子的吸附和脱附有关高的比表面积导致催化剂表...
    原因催化过程主要和催化剂表面分子的吸附和脱附有关高的比表面积导致催化剂表...

    阅读量:2

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化学品公司简介
  • 无论如何,应注意制造商建议的特定光致抗蚀剂的软烘烤时间和温度应始终是开发...
    无论如何,应注意制造商建议的特定光致抗蚀剂的软烘烤时间和温度应始终是开发...
    无论如何,应注意制造商建议的特定光致抗蚀剂的软烘烤时间和温度应始终是开发光刻工艺的起点,并且重要的是要记住过高的软烘烤温度通常高于115C会降低或甚至可以破坏线型酚醛清漆DNQ型光致抗蚀剂系统中的DN...
  • 这改变了膜的溶解度,以便通过将晶片暴露于光来图案化晶片
    这改变了膜的溶解度,以便通过将晶片暴露于光来图案化晶片
    这改变了膜的溶解度,以便通过将晶片暴露于光来图案化晶片
  • 乙酸,也称为乙醇酸或甲烷羧酸,在许多工业过程中用于制造基材
    乙酸,也称为乙醇酸或甲烷羧酸,在许多工业过程中用于制造基材
    乙酸,也称为乙醇酸或甲烷羧酸,在许多工业过程中用于制造基材
  • 另外,由于光阻剂包含感光化合物PAC,Photoactivecompou...
    另外,由于光阻剂包含感光化合物PAC,Photoactivecompou...
    另外,由于光阻剂包含感光化合物PAC,Photoactivecompound,其易残留在基板上无法清除而导致污染后续工艺,本发明的包含PGME和ANONE组成的配方的光阻清洗剂,在常温常压下,ANON...
  • 红外吸收谱测量的结果表明无论是常规的酸碱清洗还是DGQ系列清洗剂的清洗,...
    红外吸收谱测量的结果表明无论是常规的酸碱清洗还是DGQ系列清洗剂的清洗,...
    红外吸收谱测量的结果表明无论是常规的酸碱清洗还是DGQ系列清洗剂的清洗,在没有HF稀溶液浸泡的情况下,1108波数处的吸收都是不同价态硅氧化物的复合吸收,用HF稀溶液浸泡后清洗的硅片,复合吸收变成仅有...
  • 还原剂过剩严重时,应估计炉内还原剂过剩的程度,然后采取集中附加硅石或在炉...
    还原剂过剩严重时,应估计炉内还原剂过剩的程度,然后采取集中附加硅石或在炉...
    还原剂过剩严重时,应估计炉内还原剂过剩的程度,然后采取集中附加硅石或在炉料中附加硅石的方法处理
  • 而使用的机台和硅制造工艺类似通常普遍使用的设备为活性离子反应器和感应祸合...
    而使用的机台和硅制造工艺类似通常普遍使用的设备为活性离子反应器和感应祸合...
    而使用的机台和硅制造工艺类似通常普遍使用的设备为活性离子反应器和感应祸合式电浆蚀刻机等蚀刻不同材料时所用的反应气体不同如硅制造工艺中要蚀刻硅或是二氧化硅时使用四氟化碳凡和氧气而砷化稼制造工艺中蚀刻砷化...
  • 硫脲硝酸镉比对纳米硫化镉粒径的影响将7mmol硝酸镉溶于70mL乙二醇,...
    硫脲硝酸镉比对纳米硫化镉粒径的影响将7mmol硝酸镉溶于70mL乙二醇,...
    硫脲硝酸镉比对纳米硫化镉粒径的影响将7mmol硝酸镉溶于70mL乙二醇,加入0.4gPVP,保持镉离子浓度不变,通过改变硫脲的加入量来研究不同SCd物质的量比对纳米硫化镉粒径的影响
  • 原因催化过程主要和催化剂表面分子的吸附和脱附有关高的比表面积导致催化剂表...
    原因催化过程主要和催化剂表面分子的吸附和脱附有关高的比表面积导致催化剂表...
    原因催化过程主要和催化剂表面分子的吸附和脱附有关高的比表面积导致催化剂表面原子配位不全从而使表面活性位增加增强了其吸附能力