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半导体工艺资料
半导体湿法工艺
湿法工艺一般采bai用溶du液、固液混合物zhi、气液混合物等原料进行反应,制备目标物质的过程。它具有粉尘污染小、温度低、有利于操作工人的身体健康。但是湿法工艺产生大量的废水废液,如果不处理,会造成严重的水污染。
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  • 光刻技术是制造半导体器件的一种基本工艺。光刻工艺包括将图案从光掩模转移到硅晶片表面所涉及的所有步骤。如果污染物粘附在光掩膜表面,则认为它是缺陷。因此,使用薄膜对于保护光掩膜表面是必要的。薄膜被定义为薄...
    光刻技术是制造半导体器件的一种基本工艺。光刻工艺包括将图案从光掩模转移到...
    光刻技术是制造半导体器件的一种基本工艺。光刻工艺包括将图案从光掩模转移到...
  • 光伏器件通常利用中程带隙半导体来吸收太阳光谱的可见范围。然而,这样会在红外(红外)和近红外(NIR)范围内损失大量的能量。适合红外光电子器件的无机半导体纳米结构需要较大的消光系数和较小的带隙。高效的光...
    光伏器件通常利用中程带隙半导体来吸收太阳光谱的可见范围。然而,这样会在红...
    光伏器件通常利用中程带隙半导体来吸收太阳光谱的可见范围。然而,这样会在红...
  • 本文我们提出了湿化学硅晶片变薄过程,并比较了各种晶片变薄工艺,对比研究结果表明,湿化学晶薄工艺具有很高的断裂应力/能量,表明湿化学硅晶薄过程的损伤很小。通过硅通过(TSV)互连使用的三维(3D)集成已...
    本文我们提出了湿化学硅晶片变薄过程,并比较了各种晶片变薄工艺,对比研究结...
    本文我们提出了湿化学硅晶片变薄过程,并比较了各种晶片变薄工艺,对比研究结...
  • 本文报道了对SC1(nh4OH:H202:H20)溶液的研究,可用于抗颗粒去除和选择性湿蚀刻某些薄膜。用于以下测试的SC1溶液的比例为1:2:10。研究了四氯硅氧化物、硼磷酸硅酸盐玻璃、氮化物、掺杂多...
    本文报道了对SC1(nh4OH:H202:H20)溶液的研究,可用于抗颗...
    本文报道了对SC1(nh4OH:H202:H20)溶液的研究,可用于抗颗...
半导体清洗工艺