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半导体工艺资料
半导体湿法工艺
湿法工艺一般采bai用溶du液、固液混合物zhi、气液混合物等原料进行反应,制备目标物质的过程。它具有粉尘污染小、温度低、有利于操作工人的身体健康。但是湿法工艺产生大量的废水废液,如果不处理,会造成严重的水污染。
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技术交流
  • 活性离子、中性自由基、抗蚀剂和衬底蚀刻产物的相对浓度 ,已经使用无遮盖束质谱仪、离子提取器在电介质蚀刻化学中进行了测量。所采用的分析技术包括中性气体的电子碰撞电离和离解电离,以及从反应堆放电体积中提取...
    活性离子、中性自由基、抗蚀剂和衬底蚀刻产物的相对浓度 ,已经使用无遮盖束...
    活性离子、中性自由基、抗蚀剂和衬底蚀刻产物的相对浓度 ,已经使用无遮盖束...
  • 本文综述了旋涂技术的综合理论,重点介绍了控制旋涂过程的基本原理和参数,包括旋涂速度、旋涂时间、加速和排烟。该方法通常包括四个阶段:分配阶段、衬底加速阶段、以恒定速率旋转衬底并且流体粘性力支配流体变薄行...
    本文综述了旋涂技术的综合理论,重点介绍了控制旋涂过程的基本原理和参数,包...
    本文综述了旋涂技术的综合理论,重点介绍了控制旋涂过程的基本原理和参数,包...
  • 硅深反应离子蚀刻是一种由于无法控制到达晶圆表面的能量离子的方向而产生投射的二维形状的过程。由此得到的蚀刻轮廓呈现名义上为晶片表面90°的侧壁。然而,我们已经开发并演示了一种新技术,可以让我们控制沟槽...
    硅深反应离子蚀刻是一种由于无法控制到达晶圆表面的能量离子的方向而产生投...
    硅深反应离子蚀刻是一种由于无法控制到达晶圆表面的能量离子的方向而产生投...
  • 本文证明了在没有过氧化氢的情况下,高频硅的金属辅助阳极蚀刻(MAAE)。硅晶片上涂上金薄膜,金薄膜上涂有一系列孔。使用Pt网作为阴极,而阳极接触是通过有图案的金薄膜或硅片的背面进行的。在P型、N型、P...
    本文证明了在没有过氧化氢的情况下,高频硅的金属辅助阳极蚀刻(MAAE)。...
    本文证明了在没有过氧化氢的情况下,高频硅的金属辅助阳极蚀刻(MAAE)。...
  • 本文比较了介质刻蚀的不同方面。讨论了刻蚀电介质的两种主要技术,即二极管RIE和基于高密度的工艺。在这篇论文中,我们将更新这些技术的最新结果,并关注介电膜纳米尺度蚀刻的日益增长的重要性。 ...
    本文比较了介质刻蚀的不同方面。讨论了刻蚀电介质的两种主要技术,即二极管R...
    本文比较了介质刻蚀的不同方面。讨论了刻蚀电介质的两种主要技术,即二极管R...
  • LPCVD沉积薄膜在半导体器件、光电子和MEMS应用中具有多种用途,由各种材料类型和组合物成为可能。表1提供了许多可能具有典型沉积温度、沉积速率和应用的材料的部分列表。 LPCVD的主要...
    LPCVD沉积薄膜在半导体器件、光电子和MEMS应用中具有多种用途,由...
    LPCVD沉积薄膜在半导体器件、光电子和MEMS应用中具有多种用途,由...
半导体清洗工艺