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湿法腐蚀工艺参数
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半导体工艺资料
半导体湿法工艺
湿法工艺一般采bai用溶du液、固液混合物zhi、气液混合物等原料进行反应,制备目标物质的过程。它具有粉尘污染小、温度低、有利于操作工人的身体健康。但是湿法工艺产生大量的废水废液,如果不处理,会造成严重的水污染。
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技术交流
  • 由于对消除水、土壤和空气中的大量污染的需求越来越大,环境修复领域的新兴技术正变得越来越重要。我们设计并合成了MoS2/fe2o3异质结纳米复合材料(NCs)作为易于分离和重复利用的多功能材料。以双酚A...
    由于对消除水、土壤和空气中的大量污染的需求越来越大,环境修复领域的新兴技...
    由于对消除水、土壤和空气中的大量污染的需求越来越大,环境修复领域的新兴技...
  • 图1金属有机化学气相沉积法在零建町豊尊勢玻璃衬底上生长硫化锌薄膜的XRD图谱H=六边形(2H)C=立方体(3C)的下标
    图1金属有机化学气相沉积法在零建町豊尊勢玻璃衬底上生长硫化锌薄膜的XRD...
    图1金属有机化学气相沉积法在零建町豊尊勢玻璃衬底上生长硫化锌薄膜的XRD...
  • 描述了一种从硅和二氧化硅中去除氮化硅层的高选择性干法刻蚀工艺,并对其机理进行了研究。与传统的Si3N4去除工艺相比,这种新工艺采用远距离O2 /N2放电,CF4或NF3作为氟源的流量小得多。对于作为氟...
    描述了一种从硅和二氧化硅中去除氮化硅层的高选择性干法刻蚀工艺,并对其机理...
    描述了一种从硅和二氧化硅中去除氮化硅层的高选择性干法刻蚀工艺,并对其机理...
  • 本工作报告了中高纵横比结构的微制造工艺技术的最新进展,这些结构是通过使用不同种类的光致抗蚀剂的紫外光刻实现的。所得结构被用作模具,并将通过电镀转化为金属结构。我们使用了四种类型的光致抗蚀剂:SPR 2...
    本工作报告了中高纵横比结构的微制造工艺技术的最新进展,这些结构是通过使用...
    本工作报告了中高纵横比结构的微制造工艺技术的最新进展,这些结构是通过使用...
  • 本文展示了一种在一个4英寸硅片上产生多种类型纳米粒子的清洁图案的光刻方法。每种类型的纳米粒子都被精确地导向所需的位置。该工艺主要基于具有极高再现性的传统微电子技术。这使得工业应用制造由纳米晶体制成的...
    本文展示了一种在一个4英寸硅片上产生多种类型纳米粒子的清洁图案的光刻方...
    本文展示了一种在一个4英寸硅片上产生多种类型纳米粒子的清洁图案的光刻方...
  • 利用金属有机化学气相沉积法在多孔硅(PSi)衬底上成功生长了单晶氮化镓薄膜。PSi衬底上氮化镓薄膜的非对称摇摆曲线的半峰全宽(FWHM)比普通平面硅衬底上的氮化镓薄膜窄,而对称薄膜的FWHM宽。与平面...
    利用金属有机化学气相沉积法在多孔硅(PSi)衬底上成功生长了单晶氮化镓薄...
    利用金属有机化学气相沉积法在多孔硅(PSi)衬底上成功生长了单晶氮化镓薄...
半导体清洗工艺