炬丰科技
JUFENG DATA
400-8798-096
湿法腐蚀工艺参数
24小时服务热线:
泛半导体湿法工艺设备共享平台
湿法设备工艺培训
湿法设备工艺培训
半导体工艺资料
半导体湿法工艺
湿法工艺一般采bai用溶du液、固液混合物zhi、气液混合物等原料进行反应,制备目标物质的过程。它具有粉尘污染小、温度低、有利于操作工人的身体健康。但是湿法工艺产生大量的废水废液,如果不处理,会造成严重的水污染。
细分专家免费入驻
专家
专家
产品研发
产品研发
配件
配件
技术交流
  • 使用光刻胶掩模进行电镀需要化学稳定的抗蚀剂,对基板具有出色的附着力,并且通常还需要陡峭的侧壁。除了针对电镀进行优化的抗蚀剂之外,其加工过程也对避免电镀不足以及电解液的抗蚀剂侵蚀的需求产生强烈影响。
    使用光刻胶掩模进行电镀需要化学稳定的抗蚀剂,对基板具有出色的附着力,并且...
    使用光刻胶掩模进行电镀需要化学稳定的抗蚀剂,对基板具有出色的附着力,并且...
  • 为了在双面抛光工艺中实现硅晶片的高表面平整度,利用晶片和抛光垫之间的精确摩擦系数研究了DSP工艺的运动学模型。在所提出的分析模型的基础上,开发了一套上/下压盘和内/外齿轮旋转条件的优化方法。作为案例研...
    为了在双面抛光工艺中实现硅晶片的高表面平整度,利用晶片和抛光垫之间的精确...
    为了在双面抛光工艺中实现硅晶片的高表面平整度,利用晶片和抛光垫之间的精确...
  • 当材料受到液体或蒸汽蚀刻剂的侵蚀时,它会被各向同性(在所有方向上均匀)或各向异性蚀刻(在垂直方向上均匀)去除。各向同性蚀刻和各向异性蚀刻之间的区别如图 1 所示。湿蚀刻的材料去除速率通常比许多干蚀刻工...
    当材料受到液体或蒸汽蚀刻剂的侵蚀时,它会被各向同性(在所有方向上均匀)或...
    当材料受到液体或蒸汽蚀刻剂的侵蚀时,它会被各向同性(在所有方向上均匀)或...
  • 根据保险公司的研究报告,过去20年发生在半导体工厂的事故大多被认定为“火灾案例”。这些报告声称湿法化学清洗工艺中的火灾主要是由加热器故障引起的,然而,根据工艺条件,加热器被设计为在温度超过设定点时自动...
    根据保险公司的研究报告,过去20年发生在半导体工厂的事故大多被认定为“火...
    根据保险公司的研究报告,过去20年发生在半导体工厂的事故大多被认定为“火...
  • 单晶ZnO薄膜的湿法刻蚀。抑制酸蚀氧化锌薄膜时通常观察到的“W”形蚀刻轮廓有很大的影响。正如触针轮廓仪和扫描电子显微镜所证实的那样,在广泛的蚀刻速率范围内获得了“U”形轮廓和光滑的表面形态。据推测,由...
    单晶ZnO薄膜的湿法刻蚀。抑制酸蚀氧化锌薄膜时通常观察到的“W”形蚀刻轮...
    单晶ZnO薄膜的湿法刻蚀。抑制酸蚀氧化锌薄膜时通常观察到的“W”形蚀刻轮...
  • 最近安装了一种新的蚀刻工具,即表面技术系统的高速模块,使硅半导体集团有机会简化产品线中用于沟槽隔离的工艺步骤。其他一些直接优势包括电镀散热器 (PHS) 变容二极管的蚀刻分离、硅背面通孔上的 GaN、...
    最近安装了一种新的蚀刻工具,即表面技术系统的高速模块,使硅半导体集团有机...
    最近安装了一种新的蚀刻工具,即表面技术系统的高速模块,使硅半导体集团有机...
半导体清洗工艺