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湿法腐蚀工艺参数
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  • 活性离子、中性自由基、抗蚀剂和衬底蚀刻产物的相对浓度 ,已经使用无遮盖束...
    活性离子、中性自由基、抗蚀剂和衬底蚀刻产物的相对浓度 ,已经使用无遮盖束...
    活性离子、中性自由基、抗蚀剂和衬底蚀刻产物的相对浓度 ,已经使用无遮盖束质谱仪、离子提取器在电介质蚀刻化学中进行了测量。所采用的分析技术包括中性气体的电子碰撞电离和离解电离,以及从反应堆放电体积中提取...
  • 本文综述了旋涂技术的综合理论,重点介绍了控制旋涂过程的基本原理和参数,包...
    本文综述了旋涂技术的综合理论,重点介绍了控制旋涂过程的基本原理和参数,包...
    本文综述了旋涂技术的综合理论,重点介绍了控制旋涂过程的基本原理和参数,包括旋涂速度、旋涂时间、加速和排烟。该方法通常包括四个阶段:分配阶段、衬底加速阶段、以恒定速率旋转衬底并且流体粘性力支配流体变薄行...
  • 硅深反应离子蚀刻是一种由于无法控制到达晶圆表面的能量离子的方向而产生投...
    硅深反应离子蚀刻是一种由于无法控制到达晶圆表面的能量离子的方向而产生投...
    硅深反应离子蚀刻是一种由于无法控制到达晶圆表面的能量离子的方向而产生投射的二维形状的过程。由此得到的蚀刻轮廓呈现名义上为晶片表面90°的侧壁。然而,我们已经开发并演示了一种新技术,可以让我们控制沟槽...
  • 本文证明了在没有过氧化氢的情况下,高频硅的金属辅助阳极蚀刻(MAAE)。...
    本文证明了在没有过氧化氢的情况下,高频硅的金属辅助阳极蚀刻(MAAE)。...
    本文证明了在没有过氧化氢的情况下,高频硅的金属辅助阳极蚀刻(MAAE)。硅晶片上涂上金薄膜,金薄膜上涂有一系列孔。使用Pt网作为阴极,而阳极接触是通过有图案的金薄膜或硅片的背面进行的。在P型、N型、P...
  • 本文比较了介质刻蚀的不同方面。讨论了刻蚀电介质的两种主要技术,即二极管R...
    本文比较了介质刻蚀的不同方面。讨论了刻蚀电介质的两种主要技术,即二极管R...
    本文比较了介质刻蚀的不同方面。讨论了刻蚀电介质的两种主要技术,即二极管RIE和基于高密度的工艺。在这篇论文中,我们将更新这些技术的最新结果,并关注介电膜纳米尺度蚀刻的日益增长的重要性。 ...
  • LPCVD沉积薄膜在半导体器件、光电子和MEMS应用中具有多种用途,由...
    LPCVD沉积薄膜在半导体器件、光电子和MEMS应用中具有多种用途,由...
    LPCVD沉积薄膜在半导体器件、光电子和MEMS应用中具有多种用途,由各种材料类型和组合物成为可能。表1提供了许多可能具有典型沉积温度、沉积速率和应用的材料的部分列表。 LPCVD的主要...
  • 随着将等离子体应用于反应物气体中,许多材料可以在明显低于标准LPCVD...
    随着将等离子体应用于反应物气体中,许多材料可以在明显低于标准LPCVD...
    随着将等离子体应用于反应物气体中,许多材料可以在明显低于标准LPCVD的温度下沉积。等离子体作 为输入能量的手段,即加热)不是传统的热手段。结果表明,有效地降低了薄膜沉积的活化能垒。在 较低的活化势...
  • 本文主要研究了从接触刻蚀、沟槽刻蚀到一体刻蚀的介质刻蚀工艺中的刻蚀后处理...
    本文主要研究了从接触刻蚀、沟槽刻蚀到一体刻蚀的介质刻蚀工艺中的刻蚀后处理...
    本文主要研究了从接触刻蚀、沟槽刻蚀到一体刻蚀的介质刻蚀工艺中的刻蚀后处理。优化正电子发射断层扫描步骤,不仅可以有效地去除蚀刻过程中在接触通孔的侧壁底部形成的副产物,还可以消除包含特征的蚀刻金属的表面腐...
  • 本文讲述了窄带滤色片已经集成在多孔硅层上。还演示了基于层状多孔硅样品的分...
    本文讲述了窄带滤色片已经集成在多孔硅层上。还演示了基于层状多孔硅样品的分...
    本文讲述了窄带滤色片已经集成在多孔硅层上。还演示了基于层状多孔硅样品的分布式布拉格反射器和Fabry-Pe´腐蚀干涉滤波器。在由Fabry-Pe´rot滤波器组成的结构中,显示了缩小和调整多孔硅发射带...
  • 本文通过内阻、x射线衍射、扫描电子显微镜、电感耦合等离子体和交流阻抗测...
    本文通过内阻、x射线衍射、扫描电子显微镜、电感耦合等离子体和交流阻抗测...
    本文通过内阻、x射线衍射、扫描电子显微镜、电感耦合等离子体和交流阻抗测量,研究了AB5、AB2、A2B7和c14相关的体中心立方(体心立方)金属氢化物对碱性蚀刻(110◦C下45%氢氧化钾2小时)的...
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氮化硅的湿法腐蚀