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湿法腐蚀工艺参数
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  • 光刻技术是制造半导体器件的一种基本工艺。光刻工艺包括将图案从光掩模转移到...
    光刻技术是制造半导体器件的一种基本工艺。光刻工艺包括将图案从光掩模转移到...
    光刻技术是制造半导体器件的一种基本工艺。光刻工艺包括将图案从光掩模转移到硅晶片表面所涉及的所有步骤。如果污染物粘附在光掩膜表面,则认为它是缺陷。因此,使用薄膜对于保护光掩膜表面是必要的。薄膜被定义为薄...
  • 光伏器件通常利用中程带隙半导体来吸收太阳光谱的可见范围。然而,这样会在红...
    光伏器件通常利用中程带隙半导体来吸收太阳光谱的可见范围。然而,这样会在红...
    光伏器件通常利用中程带隙半导体来吸收太阳光谱的可见范围。然而,这样会在红外(红外)和近红外(NIR)范围内损失大量的能量。适合红外光电子器件的无机半导体纳米结构需要较大的消光系数和较小的带隙。高效的光...
  • 本文我们提出了湿化学硅晶片变薄过程,并比较了各种晶片变薄工艺,对比研究结...
    本文我们提出了湿化学硅晶片变薄过程,并比较了各种晶片变薄工艺,对比研究结...
    本文我们提出了湿化学硅晶片变薄过程,并比较了各种晶片变薄工艺,对比研究结果表明,湿化学晶薄工艺具有很高的断裂应力/能量,表明湿化学硅晶薄过程的损伤很小。通过硅通过(TSV)互连使用的三维(3D)集成已...
  • 本文报道了对SC1(nh4OH:H202:H20)溶液的研究,可用于抗颗...
    本文报道了对SC1(nh4OH:H202:H20)溶液的研究,可用于抗颗...
    本文报道了对SC1(nh4OH:H202:H20)溶液的研究,可用于抗颗粒去除和选择性湿蚀刻某些薄膜。用于以下测试的SC1溶液的比例为1:2:10。研究了四氯硅氧化物、硼磷酸硅酸盐玻璃、氮化物、掺杂多...
  • 对在SPEL中使用不同的浸没方法清洗的硅晶片进行了比较研究。所生产的盈余...
    对在SPEL中使用不同的浸没方法清洗的硅晶片进行了比较研究。所生产的盈余...
    对在SPEL中使用不同的浸没方法清洗的硅晶片进行了比较研究。所生产的盈余已经通过各种方法进行了评估。使用这些清洗后获得的结果被报告,并显示与文献中描述的结果一致。最佳清洁是RCA描述的。
  • RCA清洗技术是用于清洗硅晶圆等的技术,由于其高可靠性,30多年来一直被...
    RCA清洗技术是用于清洗硅晶圆等的技术,由于其高可靠性,30多年来一直被...
    RCA清洗技术是用于清洗硅晶圆等的技术,由于其高可靠性,30多年来一直被用于半导体和平板显示器(FPD)领域的清洗。其基础是以除去颗粒为目的的氨水-过氧化氢溶液组成的SC―1洗涤和以除去金属杂质为目的...
  • III-V多结太阳能电池的微制造周期包括几个技术步骤,最后以一个晶圆切...
    III-V多结太阳能电池的微制造周期包括几个技术步骤,最后以一个晶圆切...
    III-V多结太阳能电池的微制造周期包括几个技术步骤,最后以一个晶圆切割步骤来分离单个电池。这一步引入了作为电荷捕获中心的连接的侧面的损伤,可能导致性能和可靠性问题,随着当今细胞大小缩小的趋势,这些...
  • 微加工过程中有很多加工步骤。蚀刻是微制造过程中的一个重要步骤。术语蚀刻指...
    微加工过程中有很多加工步骤。蚀刻是微制造过程中的一个重要步骤。术语蚀刻指...
    微加工过程中有很多加工步骤。蚀刻是微制造过程中的一个重要步骤。术语蚀刻指的是在制造时从晶片表面去除层。这是一个非常重要的过程,每个晶片都要经历许多蚀刻过程。用于保护晶片免受蚀刻剂影响的材料被称为掩模材...
  • 表面纹理对减少光反射和改善硅衬底内的光约束具有重要作用,从而提高太阳能电...
    表面纹理对减少光反射和改善硅衬底内的光约束具有重要作用,从而提高太阳能电...
    表面纹理对减少光反射和改善硅衬底内的光约束具有重要作用,从而提高太阳能电池的效率,研究了不同厚度碳硅晶片的湿各向异性纹理和随后的湿各向同性平滑,以改善光捕获。研究了试剂浓度和蚀刻时间对工艺平滑的影响,...
  • 本研究采用各向同性湿化学蚀刻法改变高频蚀刻剂浓度,研究了HF/HNO3/...
    本研究采用各向同性湿化学蚀刻法改变高频蚀刻剂浓度,研究了HF/HNO3/...
    本研究采用各向同性湿化学蚀刻法改变高频蚀刻剂浓度,研究了HF/HNO3/甲基羧基混合溶液中蚀刻时间对硅片的影响。研究的蚀刻时间为5分钟至30分钟,高频蚀刻剂浓度在(20-24)wt%的范围内,结果表明...
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氮化硅的湿法腐蚀